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生长压力对gan材料光学与电学性能的影响

研究了采用MOCVD技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂gan薄膜的光学与电学性能。

  https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51

采用MOCVD方法在gaas衬底上生长zno和zno薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08

采用MOCVD方法在gaas衬底上生长zno(002)和zno(100)薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54

MOCVD外延al_2o_3基algan/gan超晶格的结构和光学特性

通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

最新led产业指数反应分析

led产业指数反应的是led产业、市场当前的信心状态,以及led产业供需的趋势,透过指数的表现来观察未来led产业基本面的变化。本文为ledx的最新产业指数反应分析表,欢迎下载参

  https://www.alighting.cn/resource/2013/8/30/16160_75.htm2013/8/30 16:16:00

通过倒易空间扫描表征pin-algan外延材料

本文提出利用hrxrd 倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态,这对algan 材料的MOCVD 外延生长具有重要的指导意义。

  https://www.alighting.cn/2014/12/3 11:50:29

生产型ganMOCVD设备控制系统软件设计

对“用于gan的生产型MOCVD”设备控制系统的软/硬件结构、关键技术进行了描述,介绍了国外几种生产型ganMOCVD设备控制系统的特点;分析了MOCVD设备控制技术的发展趋势。

  https://www.alighting.cn/resource/20130814/125402.htm2013/8/14 11:46:44

5大led照明设计在化学反应中的注意事项

想要led产品发挥最好的性能,不单需要从设计上下手,在led产品周围发生的那些化学反应也是需要考虑的因素之一。化学反应如果处理不当,很有可能对led的性能造成不可逆转的伤害。本

  https://www.alighting.cn/resource/20160801/142395.htm2016/8/1 14:03:21

【有奖征稿】道路照明中反应时间研究

在道路照明条件下研究了中间视觉和光生物效应对驾驶员的视觉效果影响,并建议用反应时间这个综合参数表征中间视觉和光生物效应对视觉的影响。通过道路照明反应时间模拟实验,获得了反应时间

  https://www.alighting.cn/resource/20130509/125622.htm2013/5/9 11:43:33

中国的led 产能何时成为世界第一?

最新调研调查了各led 企业截至2012 年第四季度的MOCVD 采购计划,下调了2011 机台数至870 台,如图1 所示,降低了20%,led 厂商推后2011 年计划好的安

  https://www.alighting.cn/2011/12/5 12:23:13

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