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1987年开始学习发光学，到2016年凭借“硅衬底LED项目”获得国家技术发明一等奖，江风益默默耕耘了半辈子才厚积薄发。即使如此，他日前在接受上证报专访时仍谦虚地表示，硅衬底le
https://www.alighting.cn/news/20160314/137921.htm2016/3/14 9:47:27
日前，英国Plessey semiconductors宣布，edward h. frank博士加入其micro LED顾问委员会，以加速推动其micro LED技术。
https://www.alighting.cn/news/20190815/163811.htm2019/8/15 16:47:14
来自电子、微电子及纳米技术研究院 （iemn）的最新结果显示，allos即将推出的适用于1200v器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。
https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29
近日，依托南昌大学、晶能光电的国家硅基半导体照明工程技术研究中心获科技部批准组建。该中心组建期为3年，将获得国家拨款1400万元。至此，江西省国家工程技术研究中心增至5家。
https://www.alighting.cn/news/20110331/100815.htm2011/3/31 9:22:45
vishay日前宣布推出新系列超亮白光smd LED，这些器件采用高效的InGaN技术，可在0603的占位面积上实现出色的亮度。
https://www.alighting.cn/news/20070519/120664.htm2007/5/19 0:00:00
结果表明：InGaN基白光LED蓝光和荧光的峰值波长与结温没有明显的线性关系;蓝光的光谱线宽以及荧光和蓝光峰值强度的比值与结温具有良好的线性关系。
https://www.alighting.cn/2015/3/13 9:52:54
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，
https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37
东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
本文档为台湾新世纪InGaN LED chips (10×10) LED芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127378.htm2011/7/28 17:31:47
?11月21日上午，合肥视涯项目投产仪式在合肥新站高新区内隆重举行，标志全球最大的硅基oLED生产工厂正式投产。
https://www.alighting.cn/news/20191122/165235.htm2019/11/22 9:45:24
