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验,对inxga1-xn制备过程中的in组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的PL谱测量分析,得到了587℃~600℃的in组份最佳掺入温度区间
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
性的影响。结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,led的光致发光波长从490 nm移到380 nm,室温下PL谱发光峰的半高全宽从133 mev降到73 mev,表明了量子阱结晶
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
术规范v4.0仅仅过去5个月。与正在执行的v4.0比较，v4.1增加了PL灯和u型替换灯及outdoor–very high output。下面来看看这些值得关注的新变
https://www.alighting.cn/news/20161110/145930.htm2016/11/10 9:28:48
5、p450、p450h、p475h、PL3100、PL3150、PL375、PL4100、PL4150、PL475、PL475l、gp032、gp05、gp10、gp100、g
http://blog.alighting.cn/shaoshao/archive/2011/7/13/229597.html2011/7/13 15:34:00
本文介绍使用li nkswi tch- PL 系列器伺lnk457 dg 设计的非隔离式led 驱动器( 电源)。在1 2 v 和1 8 v 的led 灯串电压下可提供350 m
https://www.alighting.cn/resource/20140123/124877.htm2014/1/23 13:46:53
膜。xrd测量结果表明利用该方法制备的gan薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪测量了薄膜的红外吸收谱,利用sem和tem观测了薄膜形貌,p
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(PL)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
关,生长温度由800℃降低到740℃,in组份的从0.22增加到 0.45 ;室温ingan光致发光光谱(PL)峰全半高宽(fwh m)为15.5 nm;ingan/gan量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
d)分析及选区衍射分析(saed)表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结构gan薄膜;xps分析其表面,结果显示样品中的镓元素、氮元素均以化合态存在,且ga:n约为1:1;PL谱分析结果表
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
加,光致发光谱(PL)发光强度逐渐增
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
