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采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(Pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
采用无催化脉冲激光沉积(Pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(Pl)谱等表征手段对zno纳
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有c轴择优取向生长的na-mg共掺杂的zno薄膜。用xrd、sem、光致发光(Pl)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127006.htm2011/10/18 14:46:03
关,生长温度由800℃降低到740℃,in组份的从0.22增加到 0.45 ;室温ingan光致发光光谱(Pl)峰全半高宽(fwh m)为15.5 nm;ingan/gan量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
m，hall和Pl对其进行研究。结果表明，在衬底温度为500℃时，生长的zno薄膜具有优良的晶体质量，电学性能和发光性
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
用脉冲激光沉积(Pld)技术制备了zno/sic/si和zno/si薄膜并制成了紫外探测器。利用x射线衍射(xrd),光致发光(Pl)谱,i-v曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
验,对inxga1-xn制备过程中的in组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的Pl谱测量分析,得到了587℃~600℃的in组份最佳掺入温度区间
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的Pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
d)分析及选区衍射分析(saed)表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结构gan薄膜;xps分析其表面,结果显示样品中的镓元素、氮元素均以化合态存在,且ga:n约为1:1;Pl谱分析结果表
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
加,光致发光谱(Pl)发光强度逐渐增
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
