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美国led芯片龙头cree发佈了口径为6英吋，约150mm的SiC底板，6英吋产品的微管密度不超过10个/cm2，主要用于led、高频元件及功率半导体元件。
https://www.alighting.cn/news/20100909/105545.htm2010/9/9 0:00:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
近日，山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径３英寸的SiC单晶；２英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)
https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00
11月18日消息，全球碳化硅（SiC）技术领先企业科锐与abb电网事业部宣布达成合作，共同扩展SiC在快速增长大功率半导体市场的采用。
https://www.alighting.cn/news/20191119/165153.htm2019/11/19 9:43:00
SiC功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而，这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。
https://www.alighting.cn/resource/20140710/124453.htm2014/7/10 11:29:36
激光加工是非接触式加工，作为传统机械锯片切割的替代工艺，激光划片切口非常小，聚焦后的激光微细光斑作用的晶圆表面迅速气化材料，在led有源区之间制造非常细小的切口，从而能够在有限面
https://www.alighting.cn/resource/20110819/127293.htm2011/8/19 14:31:30
国际半导体设备材料产业协会(semi)总裁暨执行长梅耶(stanleyt.myers)十一日表示，全球十二寸晶圆产出今年将
https://www.alighting.cn/news/2007913/V2647.htm2007/9/13 10:10:03
日商air water inc.20日发布新闻稿宣布，已成功研发出可生产全球最大尺寸的“碳化矽(SiC)”基板量产技术，借由该技术所生产的SiC基板尺寸可达8寸(现行主流为4寸)。
https://www.alighting.cn/pingce/20130522/122098.htm2013/5/22 10:21:38
近日，普瑞光电(bridgelux) 首席执行官bill watkins 对外表示，为了和计算机半导体产业配合以节省成本，led 公司必须开始以同样的设备来制作led。
https://www.alighting.cn/news/20110310/115959.htm2011/3/10 11:37:58
蓝宝石晶圆具有肉眼可视的特殊取向。rubicon已经开发了一种工艺，制作可通过视觉或触觉检测取向的非对称晶圆。这很重要，因为led和半导体制造商采用特殊晶体取向处理蓝宝石晶圆。
https://www.alighting.cn/pingce/20130407/121856.htm2013/4/7 11:08:44
