站内搜索
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电
https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42
碳化硅(SiC)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。
https://www.alighting.cn/resource/20110111/128087.htm2011/1/11 16:29:26
良品的外延片就要开始做电极(p极，n极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方片)。然后还要进行目测，
https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56
1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
https://www.alighting.cn/resource/20101124/128212.htm2010/11/24 17:57:30
从质量管理体系建立、产品设计与研发过程质量控制、原材料采购评价、产品实现全过程质量控制、现场管理等方面入手,结合led外延片及芯片产品的工艺特点,借鉴相关企业产品质量控制的经验,简
https://www.alighting.cn/2013/3/4 11:41:44
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
晶长膜领域中，要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合，基于发光元件高辉度要求，不断增大发光元件的发光面积，随着该面积变大，消费电力也随着急遽暴
https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00
小,芯片加速老化,工作寿命缩短。文章从led散热问题着手,详细介绍了目前广泛商用的大功率led器件结构及导热途径、所用散热基片的特点,以及led所用的散热片设计和计算方法。另外介
https://www.alighting.cn/2012/9/21 16:35:28
led前瞻技术与市场研讨会上，香港科技大学led-fpd工程技术研究开发中心主任李世玮教授分享了《先进led晶圓级封裝技术》，众多业界专家和专业听众给予了一致好评。
https://www.alighting.cn/resource/20111202/126829.htm2011/12/2 11:13:33
