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硅（SiC）晶圆供应协议至5亿多美
https://www.alighting.cn/news/20191120/165184.htm2019/11/20 9:26:34
电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
昨(7)日，科锐(cree)宣布与安森美半导体(on semiconductor)签署多年期协议，将为安森美半导体生产和供应wolfspeed碳化硅(SiC)晶圆片。
https://www.alighting.cn/news/20190808/163734.htm2019/8/8 9:31:44
与SiC和gan相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
新1000系采用了削减耗电量的技术。其中具代表性的是前部标识灯(前灯)和车厢灯采用的led照明。东京metro称，地铁前灯采用led“尚属首次”。
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122144.htm2012/7/11 13:46:44
x100 mm(4英寸)及未来的6x150 mm(6英寸)SiC晶
https://www.alighting.cn/news/20071116/116980.htm2007/11/16 0:00:00
2007年12月11日，道康宁化合物半导体解决方案（dccss）业务部获得美国海军研究室(office of naval research)420万美元的合同开发SiC材料技术。
https://www.alighting.cn/resource/20071213/128566.htm2007/12/13 0:00:00
采用β-ga2o3制作基板时，可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法，这也是其特点之一，
https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04
对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。
https://www.alighting.cn/resource/20100726/128332.htm2010/7/26 9:54:02
gt advanced technologies于7月8日推出其新型SiClone(tm) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品
https://www.alighting.cn/news/20130709/112135.htm2013/7/9 12:02:46
