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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56
科锐（nasdaq: cree）于日前正式商业化量产基于sc5技术平台的超大功率xlamp xhp50 led器件和xlamp xhp70 led器件。科锐开创性的技术将帮助推动新
https://www.alighting.cn/news/20150112/110289.htm2015/1/12 10:47:18
第一代半导体材料si点燃了信息产业发展的“星星之火”，而si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群，促使英特尔等世界半导体巨头的诞生，95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路
https://www.alighting.cn/news/20150107/97170.htm2015/1/7 9:33:17
对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
据ibm的研究人员发现石墨烯材料能大幅降低采用氮化镓(gan)制造的蓝光led成本。跟昂贵的SiC或蓝宝石晶圆片、且只能单次使用以长出gan薄膜的传统方式相比，这种新方法的成本效
https://www.alighting.cn/news/20141202/86567.htm2014/12/2 9:37:18
与其他两种衬底的led 芯片相比,以SiC 为衬底的led 芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下
https://www.alighting.cn/resource/20141201/123990.htm2014/12/1 11:45:37
本文介绍了关于新材料器件进展与gan器件封装技术研究，有兴趣的可以下载附件的pdf学习噢！~
https://www.alighting.cn/resource/20141103/124134.htm2014/11/3 13:47:38
2014年10月28日，科锐(nasdaq: cree)宣布继续扩展其屡获殊荣的SiC 1.2kv六单元(six-pack)功率模块系列，推出新型20a全SiC模块，作为5-1
https://www.alighting.cn/news/20141028/110520.htm2014/10/28 9:27:52
科锐在继今年5月份推出全SiC 1.2kv半桥式功率模块之后，宣布推出业界首款全SiC 1.7kv功率模块，采用业界标准62mm封装，继续保持在SiC功率器件技术领域的领先地
https://www.alighting.cn/pingce/20141013/121580.htm2014/10/13 9:55:57
⑤algainn的碳化硅(SiC)背面光的方法。美国cree公司是世界上唯一的碳化硅基板的algainn超高亮度led制造商，多年来生产的algainn / SiCa芯片的架构不断完善和增加亮
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
