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科锐推出650v碳化肖特基二极管c3dxx065a系列

近日,碳化功率器件领域的市场领先者cree公司(nasdaq: cree)日前宣布推出最新z-rec?650v 结型肖特基势垒(jbs)二极管系列。

  https://www.alighting.cn/pingce/20110111/123106.htm2011/1/11 17:17:17

科锐推出业界更高性能碳化肖特基二极管

2014年3月6日,科锐宣布推出新款cpw5 z-rec?高功率碳化肖特基二极管以及业界首款商业化量产50a碳化整流器。新款二极管产品经过优化设计,使得碳化技术能够在50k

  https://www.alighting.cn/pingce/20140306/121726.htm2014/3/6 11:16:12

提升SiC晶圆产能,意法半导体完成对norstel ab的并购

12月2日,意法半导体宣布,完成对瑞典碳化(SiC)晶圆制造商norstelab(“norstel”)的整体收购。在2019年2月宣布首次交易后,意法半导体行使期权,收购了剩

  https://www.alighting.cn/news/20191209/165508.htm2019/12/9 9:31:19

科锐推最新低基面位错100毫米4h碳化外延片

科锐功率器件与射频(rf)首席技术官 john palmour 表示:“碳化双极型(bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用

  https://www.alighting.cn/news/20120919/113213.htm2012/9/19 15:00:25

科锐推出150毫米 4h n型碳化外延片

led领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化外延片。科锐通过推出更大直径的外延片,从而继续引领碳化材料市场的发展。此项最新技术能够降

  https://www.alighting.cn/news/2012911/n735043325.htm2012/9/11 10:30:55

用氧化镓制造功率元件 与SiC相比成本低且性能出色[1]

SiC和gan相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

SiC外延晶圆产能提高到2.5倍

昭和电工宣布,将功率半导体器件用4英寸SiC外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。

  https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55

led材料新技术:我国成功研制出6英寸碳化晶片 年产7万片

不久前,中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作,解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术,成功研制出了6英寸碳化单晶衬底。

  https://www.alighting.cn/news/20150113/97479.htm2015/1/13 9:28:51

国内最大碳化基地正式投产 ,总投资50亿元

8日消息,据报道,投资50亿元,建设用地约1000亩的中国电科(山西)电子信息科技创新产业园在山西转型综改示范区正式投产。

  https://www.alighting.cn/news/20200310/167006.htm2020/3/10 9:40:05

cree公布SiC底板缺陷密度与芯片成品率的关系

美国大型SiC底板厂商科锐(cree)在SiC国际学会“第七届碳化与相关材料欧洲会议(ecscrm)”上,以“defect control in si

  https://www.alighting.cn/news/20080912/119518.htm2008/9/12 0:00:00

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