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全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化(SiC),氮化镓(gan),(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262614.html2012/1/29 0:33:37

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化(SiC),氮化镓(gan),(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271716.html2012/4/10 23:24:02

全球八大led厂商

1,cree著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化(SiC),氮化镓(gan),(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射

  http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/6/18/278893.html2012/6/18 9:44:56

高效率光子晶体发光二级管led

可以在大电流下使用300或500ma,进而达到三瓦的功率。本论文的技术方案是提供一种提高芯片亮度的方法,倒装焊芯片的电极与热沉芯片(、铜、氮化镓(gan)、钼、碳化(si

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00

新品速递:科锐推出170lm/w原型led灯泡

得这项业界领先的研发成果的关键。sc³技术平台采用科锐业界领先的碳化SiC)技术,在led芯片结构及荧光粉技术上表现出卓越的特性。  科锐照明研发副总裁nick medendor

  http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2012/8/3/284019.html2012/8/3 9:33:18

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化SiC)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化SiC)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化SiC)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化SiC)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化SiC)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42

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