检索首页
阿拉丁已为您找到约 122条相关结果 (用时 0.0041051 秒)

led外延片生长基本原理

led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00

硅衬底led芯片主要制造工艺

1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来,led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

基于si衬底的功率型gan基led制造技术

界上第一只gan基蓝色led问世以来,led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

全球八大led芯片制造商

全球八大led芯片制造商 1,cree   著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫

  http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34476.html2010/2/27 14:14:00

全球知名led制造商简介

2,cree著名led芯片制造商,美国公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)

  http://blog.alighting.cn/nanker/archive/2010/3/3/34775.html2010/3/3 10:35:00

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/10/18/108682.html2010/10/18 15:21:00

八大全球led制造商

1,cree 著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/sztatts/archive/2011/6/22/222656.html2011/6/22 14:48:00

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258630.html2011/12/19 11:09:53

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261443.html2012/1/8 21:33:08

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262614.html2012/1/29 0:33:37

首页 上一页 2 3 4 5 6 7 8 9 下一页