站内搜索
底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅(SiC)背面出光法: 美国cre
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
1,cree 著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261443.html2012/1/8 21:33:08
、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片,采用绝缘胶来固定芯片。) 工艺难点在于点胶量的控制,在胶体高度、点胶位置均有详
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261400.html2012/1/8 20:28:07
是开发蓝光led时,碳化矽(SiC)与氮化镓(gan)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时,必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前,全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261392.html2012/1/8 20:27:31
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258630.html2011/12/19 11:09:53
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258536.html2011/12/19 10:58:43
夫(lossewo。w。)在1923年就发现了半导体SiC中偶然形成的p-n结中的光发射,但利用半导体的p-n结电致发光原理制成的发光二极管只是到了60年代后期才得以迅速发展。近年来,由
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258503.html2011/12/19 10:56:52
s),genelite,欧司朗(osram),gelcore,首尔半导体等,普瑞,韩国安萤(epivalley)等。1、cree 着名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233112.html2011/8/20 0:04:00