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持续追求高亮度的led，其使用的封装技术若没有对应的强化提升，那么高亮度表现也会因此打折，因此本文将针对hb led的封装技术进行更多讨论，包括光通方面的讨论，也包括热导方面的讨论
https://www.alighting.cn/resource/20101110/128230.htm2010/11/10 10:31:42
则使用蓝宝石、SiC和si等作为基
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。
https://www.alighting.cn/resource/20100726/128332.htm2010/7/26 9:54:02
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基led专利技术，美国cree公司垄断了SiC衬底上gan基led专利技术。因此，研发其他衬底上的gan基led生产技术成为国际上的一个热
https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00
g)技术直接在碳化硅(SiC)基板上刻出凹槽(trenches)，再利用旋转涂布法将半导体纳米晶体或荧光粉等荧光材料填入凹槽中，在凹槽间形成一个凸面桥，这个方法可以让白光led变得更
https://www.alighting.cn/resource/20081229/128651.htm2008/12/29 0:00:00
早在1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出的发光二极管（led：light emitting diode）一直都没受到过
https://www.alighting.cn/resource/20081127/128639.htm2008/11/27 0:00:00
2007年12月11日，道康宁化合物半导体解决方案（dccss）业务部获得美国海军研究室(office of naval research)420万美元的合同开发SiC材料技术。
https://www.alighting.cn/resource/20071213/128566.htm2007/12/13 0:00:00
从1907年发光二极管的发明到1995年蓝光led的成功开发，半导体照明经历了曲折的过程。其中包括在蓝光led研发过程中，碳化矽（SiC）与氮化镓（gan）“阵营之争”。led经
https://www.alighting.cn/resource/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49
在863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目的支持下，近期山东大学晶体材料国家重点实验室徐现刚教授领导的研究小组承担的“SiC单晶衬底制备”课题（课题编号：2006aa03
https://www.alighting.cn/resource/20070520/128497.htm2007/5/20 0:00:00
近日，山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径３英寸的SiC单晶；２英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)
https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00
