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具有垂直结构的发光二极管(led)在固态照明产品应用中是非常有前景的一种器件，因为它们可以承受大的驱动电流来提供高的光输出强度。制造这种形式的led 需要采用晶圆- 晶圆间的键
https://www.alighting.cn/resource/20111202/126822.htm2011/12/2 17:59:24
电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿，但却是所
https://www.alighting.cn/resource/20091013/128998.htm2009/10/13 0:00:00
早期在小积体电路时代，每一个6寸的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi，每一个8寸的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动辄投资数百亿，但却是所
https://www.alighting.cn/resource/20170117/147667.htm2017/1/17 14:00:39
据台湾媒体报道，硅是微电子工业最常使用的材料，但由于它具有非直接能带（indirect bandgap），发光效率非常低。
https://www.alighting.cn/resource/20100224/128766.htm2010/2/24 0:00:00
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
目前商业化生产采用的是两步生长工艺，但一次可装入衬底数有限，6片机比较成熟，20片左右的机台还在成熟中，片数较多后导致外延片均匀性不够。发展趋势是两个方向：一是开发可一次在反应室
https://www.alighting.cn/resource/20100727/128331.htm2010/7/27 13:17:38
科锐日前宣布，其白光功率型led光效再度刷新行业最高纪录，达到276 lm/w。该项纪录打破了科锐在去年4月取得的254 lm/w研发成果。
https://www.alighting.cn/2013/2/21 10:18:43
当高科超薄晶体霓虹发光片的两极间通电后，发光层内就建立了电场，电子在电场的作用下逆电场方向加速运动，当电场强度足够强，运动状态电子数量足够多，速度足够快时，通过碰撞，发光材料电
https://www.alighting.cn/resource/200759/V12521.htm2007/5/9 17:19:58
本文讲述了可控硅输出光耦测试的方法及步骤。
https://www.alighting.cn/2014/11/13 10:30:58
