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4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

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http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

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http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

齐(harvatek)等。大陆led芯片厂商：三安光电简称（s）、上海蓝光（epilight）简称（e）、士兰明芯（sl）、大连路美简称（lm）、迪源光电、华灿光电、南昌欣磊、上海金桥大

http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165818.html2011/4/16 19:03:00

过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。led芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2沉积

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

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