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由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，gan/si基器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底，因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
本文分析了用氧化铝（al2o3）和硅（si）作为led集成封装基板材料时的热阻对比。
https://www.alighting.cn/resource/20101229/128115.htm2010/12/29 17:36:21
分析了led驱动电源设计中的可控硅调光。设计能兼容现行大多数调光器的led电源是降低led成本、迅速取代当前节能照明技术的关键。系统地分析了三端双向可控硅的工作原理和led驱动电
https://www.alighting.cn/2013/8/13 14:48:33
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
采钰科技股份有限公司(visera technologiescompany)昨(16)日宣布发表专属8寸外延片级led硅基封装技术，并以此项技术提供高功率led封装代工服务，对
https://www.alighting.cn/resource/20090917/128738.htm2009/9/17 0:00:00
晶长膜领域中，要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合，基于发光元件高辉度要求，不断增大发光元件的发光面积，随着该面积变大，消费电力也随着急遽暴
https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00
