plessey研发新工艺，提高micro led显示屏光输出

日前，英国plessey semiconductors表示，它已开发出专有的二维(2d)平面硅基氮化镓(gan-on-si)工艺，无需色彩转换技术即可发出绿光。

  https://www.alighting.cn/news/20190403/161477.htm2019/4/3 9:44:10

比利时推出致力于推动氮化镓技术发展的一项联合开发计划

  https://www.alighting.cn/news/20090720/104660.htm2009/7/20 0:00:00

led照明商场迎来开展机缘 稀有金属镓和铟或获益

d照明的需要正疾速晋升，给有关的稀有金属资料需要带来无穷机缘。led的中心资料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光资料。当前，根据宽禁带半导体资料氮化

  http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28

用氧化镓制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色[1]

与sic和gan相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下面

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

[外延芯片]movcd生长氮化物外延层的方法

一种用movcd生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用mocvd技术

  https://www.alighting.cn/news/2009111/V21470.htm2009/11/1 12:55:15

加州大学学者宣称发现氮化物led光效下降主因

相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包含散射机制的非直接的俄歇效应非常显着。这一发现使得在以往理论研究中，用直接俄歇过程预测led光衰和实际测量结果不符的现象得以解释。在氮化物

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222259.html2011/6/20 22:29:00

硅衬底上gan基led的研制进展

将光发射器与硅电子学集成起来，将加速和扩大氮化镓在光电子和微电子方面的应用。 　　一、用硅作gan led衬底的优缺点 　　用硅作gan发光二极管（led）衬底的优点主要在

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00

捷佳伟创与中大研发出国内首台量产型zno基mocvd

近日，广东深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，成功开发了国内首台专用于大规模高质量zno半导体透明导电薄膜材料生长的量产型mocvd设备。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130114/121974.htm2013/1/14 9:54:10

科锐推出突破性gan基固态放大器平台

tom dekker 表示：“与同频率范围的 gaas 电晶体相比，科锐0.25微米gan hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效率的综

  https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27

ito表面粗化提高gan基led芯片出光效率

本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00