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日宣布，在年初两家公司达成合作协定短短几个月后，两家公司共同研发出了行业顶级8英寸矽基氮化镓led芯片。该芯片仅1.1毫米，在电压低于3.1v电流350ma时发射功率达614m
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/7/2/280589.html2012/7/2 11:23:57
矽基氮化镓(gan-on-si)发光二极体(led)发展正面临严峻考验。仅管普瑞(bridgelux)、lattice power已双双宣布将导入矽基氮化镓led量产，然囿于矽
https://www.alighting.cn/news/20120702/89171.htm2012/7/2 10:04:58
5 的橙光led，gaas0.14p0.86 的黃光 led等。由于制造采用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而gan（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿
http://blog.alighting.cn/143797/archive/2012/6/30/280489.html2012/6/30 8:43:14
这些新设备均支持2英寸、4英寸、6英寸以及8英寸晶圆生长。现有的max bright和k465i设备都能很容易地现场升级到高性能版。所有veeco的mocvd设备都拥有维护需求低的
https://www.alighting.cn/pingce/20120628/122456.htm2012/6/28 11:04:57
度是常规“氮化镓绿色镭射二极管”的两倍。这种镭射二极管可安装在镭射投影机和许多其他显示器件。新型镭射二极管具有两倍于传统的氮化镓绿色镭射二极管(60毫瓦或低于、520纳米或以
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/6/27/280011.html2012/6/27 8:52:26
展会期间，“氮化镓蓝光led之父”中村修二先生在广州光亚网络科技有限公司销售总监刘俊先生陪同下，莅临晶和照明展位参观，总裁陈昕先生现场接待。
https://www.alighting.cn/news/2012625/n435940802.htm2012/6/25 14:50:42
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪gan(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279535.html2012/6/20 23:07:24
以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
极接点散失之效能。因此，近年来，国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料 ，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/fafafa/archive/2012/6/20/279475.html2012/6/20 23:06:07
