站内搜索
针对倒装芯片(flipchip)大功率发光二极管器件，描述了大功率led器件的热阻特性，建立了flipchip衬底粘接材料的厚度和热导系数与粘接材料热阻的关系曲线，以三类典型粘
https://www.alighting.cn/resource/2009316/V782.htm2009/3/16 11:19:37
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
2012年11月12日——据国际半导体设备材料协会(semi)属下的全球硅片制造商委员会(smg)关于硅晶片产业的季度分析显示，2012年第三季度的全球硅晶片出货总面积较第二季
https://www.alighting.cn/news/20121114/88971.htm2012/11/14 11:44:23
2011-2014年2寸蓝宝石基板价格趋势可以看出，2011年开始蓝宝石价格急速下滑，在接下来的两年蓝宝石价格几乎难以回到以往的价位。到了2014年第一季度，蓝宝石价格再应用端的带
https://www.alighting.cn/news/20140723/87272.htm2014/7/23 10:28:49
利用gcr170型脉冲激光器nd：yag 的三次谐波(355nm)，以蓝宝石al2o3(0001)为衬底，在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了zno 薄膜.通过原子力显微镜
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
拥有“中国水晶之都”之称的东海县面向全国诚邀具有丰富经验和相当实力的规划设计机构，意欲高起点、高品位地编制东海县硅产业发展规划方案，以引导该县硅产业的良性快速发展。目前，东海正
https://www.alighting.cn/news/2007717/V6045.htm2007/7/17 10:51:45
