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加了接触面积和经过激光辐照后，具有了更高的空穴浓度。 很多人 [3-7] 利用表面粗化来提高出光效率做了研究，主要利用的方法包括表面粗化、晶片键合和激光衬底剥离技术等。但是这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
等不良问题。 3.点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。 （对于gaas、sic导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179904.html2011/5/20 0:44:00
良问题。 c)点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、sic导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光le
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222023.html2011/6/19 22:43:00
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222068.html2011/6/19 23:05:00
张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。3.点胶在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于gaas、sic导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229960.html2011/7/17 23:36:00
题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹配的衬底材料，外延生长的gan薄
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。3.点胶在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、sic导电衬底，具有背面电极的红光、黄
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/8/2/231475.html2011/8/2 10:39:00
型芯片产业化水平达到80-90lm/w，更加接近国际产业化水平，在衬底设备、外延生产、芯片工艺等方面掌握了一批具有自主知识产权的技术，如si衬底芯片光效达到70lm/w。 在200
http://blog.alighting.cn/lsddesign/archive/2011/9/5/235054.html2011/9/5 17:57:01
术也需改善. 在led产业链接中,上游是led衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为led芯片设计及制造生产,下游归led封装与测试.研发低热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新型le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261391.html2012/1/8 20:27:29
、sic导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261400.html2012/1/8 20:28:07
