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牺牲ni退火对衬底gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

诚科技发表三线式rgbw led pwm驱动器与定电流led驱动器

诚科技推出两款三线式全彩led 驱动器,其中一款为串联三线式rgbw led pwm驱动器「dj5111」,另一款则是串联三线式 rgb led 定电流驱动器「dj5091

  https://www.alighting.cn/news/20080509/106845.htm2008/5/9 0:00:00

台湾中央大学采用爱思强mocvd,用于6英寸基氮化镓外延生长

爱思强股份有限公司8月14日宣布,台湾中央大学向其订购一套新的mocvd系统。此次订购的1x6英寸爱思强近耦合喷淋头? mocvd系统,将用于在6英寸的基材上生长氮化镓外延结

  https://www.alighting.cn/news/20120815/114421.htm2012/8/15 11:48:41

晶能大功率led芯片量产入选全球半导体照明年度新闻

2012年11月5日国际半导体照明联盟(isa)在广州举行年度成员大会,并正式发布了“全球半导体照明2012年度新闻”评选结果。晶能光电作为“全球首家量产基大功率led芯片的公

  https://www.alighting.cn/news/2012115/n868745470.htm2012/11/5 11:06:36

[分享]各个厂商led大功率芯片外观图集

本文为工程师朋友分享的关于全球各个led芯片厂商在大功率芯片上,芯片的外观方面的图集,很直观的给led从业的朋友以帮助,推荐下载;

  https://www.alighting.cn/resource/20111115/126885.htm2011/11/15 14:48:17

led芯片设计趋势与应用探讨(附件)

本文介绍了led芯片设计趋势以及有关led芯片的应用探讨,欢迎下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20091116/V1004.htm2009/11/16 15:12:20

易美芯光200lm/3元的led产品璀璨世界最大照明展

6月12日,广州国际照明展圆满落下帷幕,作为国内为数不多的集自主高亮度芯片与专业封装于一体的led厂家,易美芯光首次亮相广州国际照明展就引起了极大的关注。此次展会上,易美芯光所推

  https://www.alighting.cn/news/20110614/115263.htm2011/6/14 9:29:04

倒装芯片(flip-chip bonding)

连接芯片表面和底板时,并不是像引线键合一样那样利用引线连接,而是利用阵列状排列的,名为焊点的突起状端子进行连接。与引线键合相比,可减小安装面积。另外,由于布线较短,还具有电特性优

  https://www.alighting.cn/2013/1/25 17:16:39

衬底led芯片主要制造工艺

发,目前已通过科技部项目验收。   1、si衬底led芯片制造   1.1 技术路线   在si衬底上生长gan,制作led蓝光芯片。   工艺流程:在si衬底上生长al

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

led芯片厂商

s),genelite,欧司朗(osram),gelcore,首尔半导体等,普瑞,韩国安萤(epivalley)等。1、cree   著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化

  http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165818.html2011/4/16 19:03:00

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