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条形叉指n阱和p衬底结的硅led设计及分析

采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile

  https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52

zno薄膜的制备及应用研究进展

zno作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有很好的化学稳定性和热稳定性,抗辐射损伤能力强,在光电器件、压电器件、表面声波器件等诸多领域有着很好的应用潜力。本文主要介绍制备zno薄

  https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:16:23

立迪思推出led闪光灯/照射灯驱动器

立迪思科技有限公司(leadis technology, inc.)近日宣布已可供应lds8620及lds8621产品样片。新推出的200毫安无电感双输出led闪光灯/照射灯驱动器

  https://www.alighting.cn/news/20080610/118287.htm2008/6/10 0:00:00

vishay推出用于led照明的表面贴装白光led器件

今天发布的这些器件采用plcc-4封装,优化的引线框使热阻降低至300k/w,功率耗散高达200mw,从而使器件能够使用高达50ma的驱动电流,使亮度达到vishay采用plcc

  https://www.alighting.cn/news/20100201/119605.htm2010/2/1 0:00:00

led长余辉器件发光系统及其调控方法——2019神灯奖申报技术

led长余辉器件发光系统及其调控方法,为浙江明辉发光科技有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190125/160196.htm2019/1/25 16:30:05

微电子器件精密激光封焊设备——2021神灯奖申报技术

微电子器件精密激光封焊设备,为中山市镭通激光科技有限公司2021神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20210320/171388.htm2021/3/20 10:46:14

兼容性和可靠性是led照明器件及系统的关键因素

philip keebler解释道,在要求每日工作的情况下/led照明器件和系统需要及动力系统及电力设施相兼容。

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:58:49

vishay公司推出业界同类器件中最小的新系列超亮白光 smd led

vishay公司宣布推出新系列超亮白光smd led,这些器件采用高效的ingan技术,可在0603的占位面积上实现出色的亮度。

  https://www.alighting.cn/news/2007515/V2426.htm2007/5/15 14:07:53

厦门国家半导体发光器件产品质检中心通过验收

近日,中国国家质检总局会同科技部有关专家对在厦门成立的国家半导体发光器件(led)产品质检中心进行了能力建设现场验收。

  https://www.alighting.cn/news/20110323/100843.htm2011/3/23 13:32:18

从led器件技术进步看户外显示屏发展趋势

十一世纪,led从外延材料生长、芯片制作到器件封装均取得了大幅度的技术进步,led综合光效已提高了3~4倍。因此采用压缩视角而提高光轴方向亮度的技术方法已不应再成为业界提高亮度的唯

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127021.html2011/1/12 16:34:00

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