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并设计实验测量纹波电流对led光效的实际影响。根据led的droop效应，载流子溢出使led外量子效率下降，是纹波电流使led光效下降的物理机
https://www.alighting.cn/2014/1/8 14:11:10
pss最近受到热捧，pps的衬底可以有效减少gan外延材料的位元错密度，从而减小有源区的非辐射复合，提升内量子效率，减小反向漏电流，提高led的寿命;另一方面有源区发出的光，
https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08
利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
镓 gan)会因基材(如刚玉 al2o3)晶格的不整合产生极多的缺陷(如 109/cm2)，这些缺陷限制了内部量子效应(internal quantum efficiency)的发
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
性的影响。结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,led的光致发光波长从490 nm移到380 nm,室温下pl谱发光峰的半高全宽从133 mev降到73 mev,表明了量子阱结晶
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
高光效、长寿命、低价格是白光led进入普通照明必过的叁关，提高芯片的内外量子效率、高技巧封装结构的设计及工艺、提高yag：ce3+的光转换效率是当前直面的叁题，认真研究粉体的相结
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128059.htm2011/2/11 10:26:04
到不断改进。通过对晶体生长的各种实验测定了最佳的器件参数。用这个生产线生产的led器件的外部量子效率到目前为止是世界上最高的，双异质结(dh)结构的效率值达21
https://www.alighting.cn/news/20091228/V22368.htm2009/12/28 15:27:58
谱分析仪就是利用光的干涉和衍射原理制作的。 光的量子理论 光的波动学可以完美描述光的传播过程，但不能正确解释光的发射和吸收。于是便有了光的量子理论。 当光或其他形式的电磁辐射发
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/6/20/319568.html2013/6/20 19:32:12
势消失。所以说，一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。 led的发光效率分为内、外量子效率，对于内量子效率基本可达80%甚至90%，而外量子效率由于无法有效放出光子，被le
http://blog.alighting.cn/sbf6103/archive/2013/6/23/319762.html2013/6/23 22:56:26
芯片研究的进展结果： 1、基于蓝宝石衬底的蓝、绿、紫及紫外led目前所获得的最佳性能是在采取侧向生长等技术的基础上取得的，目的在于减小位错密度，蓝、紫器件的外量子效率约40%，而
https://www.alighting.cn/news/20060222/91872.htm2006/2/22 0:00:00
