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芬兰辛大学图书馆anttinen oiva照明设计

位于芬兰的辛大学图书馆anttinen oiva,椭圆的大门仿佛创造了巨大光明之泉。

  https://www.alighting.cn/case/2014/11/24/101723_86.htm2014/11/24 10:17:23

欧日将携手开发更高亮度的环保LED

欧洲研究机构imec与日本业者taiyonipponsanso宣布,将合作开发高效LED组件制造技术;双方计划锁定为高画质液晶电视背光等应用领域,研发更高亮度的环保LED

  https://www.alighting.cn/news/2008109/V17512.htm2008/10/9 10:46:16

缓冲层生长压力对mocvd GaN性能的影响

利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫

  https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58

美国阿尔伯克flyway view住宅照明设计

美国新墨西哥州阿尔伯克flyway view住宅位于美丽的阿尔伯克,阿尔伯克是美国新墨西哥州在人口上最大的城市,位于新墨西哥州中部地区、横跨格兰德河(rio grand

  https://www.alighting.cn/case/2012/3/29/154449_42.htm2012/3/29 15:44:49

深圳环实业何忠亮:LED封装板的发展趋势

2016阿拉丁照明论坛 “材料科技进步与照明品质提升” 技术峰会上,深圳市环实业有限公司总经理何忠亮做了主题为“功率互联在倒装及csp领域的应用”的精彩演讲。

  https://www.alighting.cn/zhanlan/20160610/141011.htm2016/6/10 11:53:44

氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展

氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57

[研发故事] 率先让蓝色LED发光的赤崎和天野(上)

赤崎和天野的研究小组,就在GaN类蓝色LED的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了“应用物理学会成就奖”,获奖理由中有这样一段话:“在GaN类氮化物半导体材料和元器件的研

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124150.htm2014/10/29 14:39:18

台湾光鋐再订两台thomas swan ccs mocvd生产GaN LED

nLED。这两台设备将安置于光鋐在台南的工厂内,与两台aix 2600g3 ht mocvd一起工

  https://www.alighting.cn/news/2007528/V5187.htm2007/5/28 15:56:52

新广联:脚步坚实 力求创新 稳中求胜

随着政府财政的叫停,终端市场的进一步恶化,国际市场的需求乏力,对于普遍缺乏核心技术,缺少强而有力的核心研发团队的国内LED芯片企业来说,2012年过的尤为艰难,在危机面前,所

  https://www.alighting.cn/news/20130723/85469.htm2013/7/23 9:53:35

pida:台湾地区LED元件或转向车用、mini LED等利产品

光电协进会(pida)指出,台湾地区LED元件产业正面临调整,将降低或退出背光、一般照明应用的大宗蓝光LED,转往四元、车用、不可见光、mini LED等利产品,或是vcsel

  https://www.alighting.cn/news/20180517/156890.htm2018/5/17 10:16:59

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