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同传统led相比,GaN同质衬底技术能实现更好的显色性能和白光准确度,并具有每晶元流明优势。
https://www.alighting.cn/resource/20141204/123974.htm2014/12/4 11:26:50
据日媒报道,日本东北大学与罗姆将zno(氧化锌)类紫外led的发光强度提高到了100μw,为原来产品的1万倍。这一发光强度是inGaN与GaN类紫外led的约110倍。东北大学原
https://www.alighting.cn/news/20110526/100302.htm2011/5/26 9:42:28
上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术,可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜,在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑,衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高led光提
https://www.alighting.cn/news/20110601/115404.htm2011/6/1 10:13:21
基铺мята餐厅照明设计,照明设计,灯光设计!
https://www.alighting.cn/case/20161115/43055.htm2016/11/15 9:34:37
比利时纳米电子研究中心imec与veeco正在进行项目合作,旨在降低生产硅基氮化镓(GaN-on-si)功率器件和led的成本。
https://www.alighting.cn/news/20130905/111899.htm2013/9/5 9:35:43
近日,rusnano、onexim group以及uomp公司签署了一份关于俄罗斯照明计划的文件,为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建了一个高技术的工业生产体系。
https://www.alighting.cn/news/20081217/96286.htm2008/12/17 0:00:00
世界领先的电子及能源产业的半导体材料生产和制造商soitec与照明行业的材料、设备和系统供应商重庆四联光电科技有限公司就共同使用hvpe制造氮化镓(GaN)达成了协议。
https://www.alighting.cn/news/20120711/113188.htm2012/7/11 10:12:51
据来自于日本经济新闻方面的消息,三菱化学与蓝光led之父中村修二已成功运用液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。
https://www.alighting.cn/news/20101209/116107.htm2010/12/9 9:11:07
东京大学生产技术研究所教授藤冈洋的研究组与神奈川科学技术研究院(kast)宣布,共同开发出了在柔性底板上形成由氮化镓(GaN)构成的led技术。由于制造方法采用的是易于支持大面
https://www.alighting.cn/resource/20080229/128588.htm2008/2/29 0:00:00
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01