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晶元购多台aixtron mocvd设备提高GaN led产量

单中包括aixtron的王牌产品-用于批量生产GaN led的crius ccs反应室和aix 2800g4 ht反应室系统,待明年这些设备安装完毕后,晶元的led产能将大大提

  https://www.alighting.cn/news/20071024/120418.htm2007/10/24 0:00:00

孙钱:硅衬底GaN基高效led的最新进展

发副总裁孙钱博士以《硅衬底GaN基高效led的最新进展》为主题,作了精彩分

  https://www.alighting.cn/news/20150610/130039.htm2015/6/10 13:37:30

蓝紫光inGaN多量子阱激光器

在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了inGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为ga

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06

led蓝宝石基板与芯片背部减薄制程

目前在led制程中,蓝宝石基板虽然受到来自si与GaN基板的挑战,但是考虑到成本与良率,蓝宝石在近两年内仍然具有优势,可以预见接下来蓝宝石基板的发展方向是大尺寸与图案化(ps

  https://www.alighting.cn/resource/20130816/125399.htm2013/8/16 11:56:41

激光剥离GaN/al_2o_3材料温度分布的解析分析

分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,

  https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56

led衬底|基板(substrate)

通俗来讲,led和半导体激光器等的发光部分的半导体层,是在基板上生长结晶而成。采用的基板根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色 led等GaN类半导体材

  https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40

0.75mm厚高亮度白光led在美面市

GaN材料的蓝色led上组合使用tag(鋱、铝、石榴石)是萤光材料开发而成的白光led,应用在背光源以及紧急照明

  https://www.alighting.cn/news/20101224/104527.htm2010/12/24 11:43:14

腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长GaN质量的影响

使用熔融的koh在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了ga

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39

北京大学张国义教授:《GaN同质外延和竖直结构大功率led》

光粉的白光发光二极管研究》的报告,通过例举学术界的多项研究,向与会者们深入浅出地详述了“GaN同质外延和竖直结构大功率led”的理论、技术与优势等相关各个方面的介

  https://www.alighting.cn/news/20110611/109094.htm2011/6/11 14:38:05

cu掺杂zno薄膜的光学性质

采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13

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