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激光切割在led行业的应用及发展—新世纪led沙龙

随着激光技术的飞速发展,激光器的特性日趋完善和功能化,激光加工因为具有能量集中、热影响区域小、不需接触加工工件,对工件无污染、不受电磁干扰,且激光束易于聚焦、导向、便于自动化控制等

  https://www.alighting.cn/news/20130125/108885.htm2013/1/25 11:33:24

首尔半导体展出利用GaN晶体非极性面的白色led

韩国首尔半导体(seoul semiconductor)开发出了在1mm见方蓝色led芯片上组合荧光材料,实现了光通量为500lm左右的白色。该开发品的特点是比以前的产品更容易提高

  https://www.alighting.cn/pingce/20130123/121934.htm2013/1/23 11:10:35

田村制作所展出使用氧化镓的白色led

出。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光

  https://www.alighting.cn/news/2013122/n276448351.htm2013/1/22 14:18:06

田村制作所开发出使用氧化镓的白色led

田村制作所及其子公司光波公司近日展出了其开发的使用氧化镓(β-ga2o3)的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同

  https://www.alighting.cn/pingce/20130122/121938.htm2013/1/22 9:15:25

pss衬底(patterned sapphire substrate)

pss最近受到热捧,pps的衬底可以有效减少GaN外延材料的位元错密度,从而减小有源区的非辐射复合,提升内量子效率,减小反向漏电流,提高led的寿命;另一方面有源区发出的光,

  https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08

si基外延GaN中缺陷的腐蚀研究

本文研究了两组不同晶体质量的GaN外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降

  https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08

首尔与威宝共同推出新led芯片技术的卤素替代灯

npola”使用来自威宝母公司三菱化学株式会社的专用氮化镓(GaN)衬底用于氮化镓的外延生长,从而取代蓝宝石或碳化硅衬底。首尔半导体的 专利“npola”结构最大限度地减少活跃层

  https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20

聚灿光电订购爱思强crius ii-l系统生产外延片

德国爱思强股份有限公司于1月15日宣布,聚灿光电科技(苏州)有限公司向其订购多套crius ii-l系统,用于大批量生产氮化镓(GaN)发光二极管(led)外延片。所订购系统每

  https://www.alighting.cn/news/20130116/112829.htm2013/1/16 10:52:45

激光切割在led行业的应用及发展

激光加工由于具有能量集中、热影响区域小、不需接触加工工件,对工件无污染、不受电磁干扰,且激光束易于聚焦、导向、便于自动化控制等优点。 现已广泛应用于半导体、led和光伏太阳能等许多

  https://www.alighting.cn/2013/1/11 17:26:28

硅谷狂人掀起照明革命

灯不同,led灯基本上就是能发光的半导体芯片。白炽灯通过灯丝发光,荧光灯通过汞蒸气传导电流来发光。led灯通过一片熔合了氮化镓(GaN)的基底材料,加上电压就会发光。led灯更节

  http://blog.alighting.cn/fangke/archive/2013/1/11/307063.html2013/1/11 9:46:47

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