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采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
由金线将热能导出 (4). 若为共晶及flip chip制程，热能将经由通孔至系统电路板而导出 一般而言，LED晶粒（die）以打金线、共晶或覆晶方式连结于其基
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179994.html2011/5/20 22:35:00
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http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/11/11/251514.html2011/11/11 17:22:33
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http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261888.html2012/1/8 22:43:58
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