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以碳化硅(SiC)、氮化镓(gan)为代表第三代半导体材料越来越受到市场重视，半导体企业正在竞相加速布局。日前，意法半导体宣布已签署收购法国氮化镓创新企业exagan公司的多数股
https://www.alighting.cn/news/20200311/167030.htm2020/3/11 9:59:11
少是mocvd系统制造商的一个关键目标。影响mocvd工艺的生产率和成本的精确参数分析是任何改善努力的前提。通过这种分析，我们发现产率(每单位时间生产的晶圆面积)和产量是关键特性。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127093.html2011/1/12 17:24:00
若将蓝宝石基板厚度由100微米缩短至80微米，晶片热阻可降低20%，但不能无限制的缩短造成晶圆片破片。另外，若将kchip值提高至280w/mk(SiC)，晶片热阻可降低87.5
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126775.html2011/1/9 21:14:00
件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(si)、碳化硅(SiC)、氧化锌(zno)、氮化镓(gan)...
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
求，须从系统的角度去考虑，如led光源、电源转换、驱动控制、散热和光学等。薄膜芯片技术崭露锋芒目前，led芯片技术的发展关键在于基底材料和晶圆生长技术。基底材料除了传统的蓝宝石材料、
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
led 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（wafer fabrication）、晶圆针测工序（wafer probe）、构装工序（packaging）、测试工序（initia
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
e led一样，此次新产品借助于sc3技术平台的强力支持。sc3技术平台是采用cree自家的碳化矽(SiC)技术，在led芯片结构及萤光粉技术上表现出优异的特性，同时采用了最新封装技
https://www.alighting.cn/pingce/20120411/122609.htm2012/4/11 9:35:02
碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅mosfet器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅mosfet器件可实现更高的系统效率及更
https://www.alighting.cn/news/2013320/n847049790.htm2013/3/20 9:48:13
料的led芯片，则使用蓝宝石、SiC和si等作为基板，如果是红色led等采用alingap类材料的led芯片，则使用 gaas等作为基
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
