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由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领
https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00
普瑞公司已经大大提高了硅衬底led芯片的流明/瓦，光色和显色指数等性能，而这些性能的高低直接决定了led芯片质量的好坏。在今年三月，普瑞公司宣布其硅衬底氮化镓led发展战略
https://www.alighting.cn/news/20110810/115411.htm2011/8/10 9:31:44
东芝在“nano tech 2009 （国际纳米科技综合展）”（2月18～20日）上展示了集成有32nm工艺nand型闪存的300mm外延片。该外延片为导入了3bit/单元技
https://www.alighting.cn/news/20090224/118894.htm2009/2/24 0:00:00
率led产品正常工作。大功率led基板与散热片连接时建议在led基板底部或散热片表面涂敷一层导热硅脂（导热硅脂导热系数≥3.0w/m.k），导热硅脂要求涂敷均匀、适量，再用螺丝压合固
http://blog.alighting.cn/superdz/archive/2010/3/31/39165.html2010/3/31 10:38:00
总投资25亿人民币的蓝宝石外延片加工专案，日前在青岛高新区举行了开业仪式。此项目将美国硅谷先进的蓝宝石芯片加工技术与中国的制造成本优势结合，形成优良性价比的竞争优势。
https://www.alighting.cn/news/20100412/108177.htm2010/4/12 0:00:00
当然gan与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题，很容易出现龟裂现象，要在硅衬底上生长高质量的氮化镓基led确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为，硅衬
https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23
高功率led封装厂台湾半导体照明公司(tslc)2013年12月30日举行新厂落成仪式，tslc传承前身高功率led封装厂采钰的晶圆级led硅基及氮化铝封装技术，让led封装元
https://www.alighting.cn/news/20140109/111360.htm2014/1/9 9:44:12
用节能灯mos管，2n50可使用于节能灯电源mos管瑞新的mos管晶圆全部采用8寸晶圆生产，每片晶圆的产量更高。生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。我们的良率高达99.9
http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/12/13/303379.html2012/12/13 15:40:22
晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *55在内的四款硅基大功率芯片，发光效率已超过120lm/w。
https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122391.htm2012/6/14 10:06:35
江风益教授研究团队的“硅衬底高效gan基蓝色发光二极管”项目荣获2015年度全国唯一一项国家技术发明一等奖，实现了江西省在该项奖励“零”的突破。
https://www.alighting.cn/pingce/20170224/148437.htm2017/2/24 9:50:09
