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led外延生长工艺概述

底上,生长出一层厚度仅几微米(1毫米=1000微米)的化合物半导体外延层。长有外延层的gaas片也就是常称的外延片。外延片经芯片加工后,通电就能发出??很纯的单光,如红、黄

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led的外延片生长技术

展uv三基萤光粉白光led奠定扎实基矗可供uv光激发的高效萤光粉很多,其发光效率比目前使用的yag:ce体系高许多,这样容易使白光led上到新胚阶。6.开发多量子阱型芯片技术多量子

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半导体照明灯具系统设计概述

谱,所以存在温偏高、显指数偏低的问题,不符合普通照明要求。人眼对差的敏感性大大高于对光强弱的敏感性,对照明而言,光源的显性往往比发光效率更重要。所以加入适量发红光的荧光粉并

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rgb与白光led存亡之战

方的纯度不够,价格太贵,另一个反驳说自己颜漂亮,反批对方年老衰,这样的战争,恐怕短期内不会停 歇。不过呢,虽然青菜萝卜各有所好,但是用在技术与成本上,就不是这么简单了,有些东西无

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led背光与无彩滤光片技术

d cathode fluorescent lamp,ccfl)或是led光源。在混原理上,各原是以空间轴混,空间轴上的混意思是,人眼看到东西可以看出颜,是靠空间轴上r、g、b三

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发光二极管封装结构及技术

led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光纯,结构 牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积

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el显示(薄膜型电致发光显示)技术

常el显示器是单的,对角线尺寸从3.5英寸到10.4英寸,分辨率从160 x 80 (h x v)到vga。el显示器通常采用磷产生的琥珀。美国平达系统公司能够提供超过16种不

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led背光与无彩滤光片技术

d cathode fluorescent lamp,ccfl)或是led光源。在混原理上,各原是以空间轴混,空间轴上的混意思是,人眼看到东西可以看出颜,是靠空间轴上r、g、b三

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我国半导体照明应用现状

型);环保、安全、长寿命(2-5万小时);易维护,高显指数(led光源在70-80之间,普通高压钠灯显指数只有20-40左右,颜失真严重);耐开关易控制(低温使用-开启即

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led的封装技术

led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光纯,结构牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积小,成

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