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s(砷化镓)、gaasP(磷化镓砷)、a1gaas(砷化铝镓)等半导体制成，其核心是P-n结，因此它具有一般P-n结的伏一安特性，即正向导通、反向截止、击穿特性。当P型半导体和n型半导
http://blog.alighting.cn/something/archive/2010/9/9/95839.html2010/9/9 16:46:00
如gaas（砷化镓）、gaasP（磷化镓砷）、a1gaas（砷化铝镓）等半导体制成，其核心是P-n结，因此它具有一般P-n结的伏一安特性，即正向导通、反向截止、击穿特性。当P型半导体和
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/107108.html2010/10/15 17:01:00
组成，一部分是P型[1]半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-n结”.当电流通过导线作用于这
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120856.html2010/12/14 21:42:00
了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米。厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在P-gan层表面均匀和可靠地扩散大电流的能力。因此这种P型接触结构制约了led芯片的工作功
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
丰led在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这
http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2011/1/26/128945.html2011/1/26 9:50:00
业（nichia）在gan的led中，将P型电极（P tyPe）部分做成网纹状（mesh Pattern），以此来增加P极的透明度，减少光阻碍同时提升光透量。 至于增加折反
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
们接受的信息有2/3的信息是通过眼睛取得的。显示技术还应用于工业生产、军事、医疗单位、公安系统乃至宇航事业等国民经济、社会生活和军事领域中，并起着重要作用，显示技术已经成为现代人类社
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179845.html2011/5/20 0:21:00
d的核心是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空
http://blog.alighting.cn/ledpurchase/archive/2012/8/14/285889.html2012/8/14 10:16:34
理： Pn结的端电压构成一定势垒，当加正向偏置电压时势垒下降，P区和n区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以会出现大量电子向P区扩散，构成对P区少数载流子的注
http://blog.alighting.cn/205379/archive/2014/4/25/350835.html2014/4/25 21:42:33
m 灯杆底部外径 = 168mm如图3,焊缝所在面即灯杆破坏面。灯杆破坏面抵抗矩w 的计算点P到灯杆受到的电池板作用荷载f作用线的距离为Pq = [5000+(168+6)/tan1
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229966.html2011/7/17 23:39:00
