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led封装对光通量的强化原理

f,f=forward)求得。■裸层:「量子井、多量子井」提升「光转效率」虽然本文主要在谈论led封装对光通量的强化,但在此也不得不先说明更深层核心的裸部分,毕竟裸结构的改善也能使光通量大

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00

led生产工艺简介

一、生产工艺1.工艺:a)清洗:采用超声波清洗pcb或led支架,并烘干。 b)装架:在led管芯(大圆片)底部电极备上银胶后进行扩张,将扩张后的管芯(大圆片)安置在刺

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229960.html2011/7/17 23:36:00

便携式应用的led驱动解决方案

压调节器,但用于并联led结构。最后一种是电容式电荷泵。这些架构各有其优势,但对于给定的应用,仅有一种能够提供最大的优势。感应式升压调节器感应式升压架构 (比如兆半导体的fa

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229957.html2011/7/17 23:35:00

led用yag:ce3+荧光粉的研制

荧光粉早在20世纪60年代就已被研制出来,并且被应用于阴极射线点扫描管中(阴极射线荧光粉的牌号为p46),它主要是利用该荧光粉的超短余辉(0.1μsec)特性和亮度特性。后

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229954.html2011/7/17 23:33:00

led行业近年的重要并购事件

次并购至少为路明集团的led研发节省了10年的时间。?;2005/2,元砷与联铨宣告以1股联铨换1.36股元砷合并,前者为存续公司。?;2005/8,电为存续公司,以1比2.24

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229951.html2011/7/17 23:30:00

led外延生长工艺概述

却是所有电子工业的基矗硅柱的长成,首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中,并加入预先设定好的金属物质,使产生出来的硅柱拥有要求的电性特质,接着需要将所有物质融化后再长成单的硅

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00

外延生长技术概述

速度及优良的体结构,衬底旋转速度和

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

led芯片的制造工艺简介

把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片,分捡出来,这些就是后面的散,此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的片,也就自然成了边片或毛片等。刚才谈到在圆上的不同位置抽取九个点做参数测

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

gan外延片的主要生长方法

素流量通常为(1-5)×10-5克分子,v族元素的流量为(1-2)×10-3克分子。为获得合适的长速度及优良的体结构,衬底旋转速度和长温度的优化与匹配至关重要。细致调节生长腔体

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led外延片(衬底材料)介绍

行目测,把有一点缺陷或者电极有磨损的,分捡出来,这些就是后面的散。此时在蓝膜上有不符合正常出货要求的片,也就自然成了边片或毛片等。不良品的外延片(主要是有一些参数不符合要求),就

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