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4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

1 led的性能与特点　　1.1 耗能低（目前 10 w）、外形尺寸小 led作为固体发光器件，单颗功率低，目前应用最为广泛的均小于0.5w，功率型（单颗大于0.5w）的也都在0

http://blog.alighting.cn/160574/archive/2012/12/17/303966.html2012/12/17 13:37:49

1 led的性能与特点　　1.1 耗能低（目前 10 w）、外形尺寸小 led作为固体发光器件，单颗功率低，目前应用最为广泛的均小于0.5w，功率型（单颗大于0.5w）的也都在0

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304028.html2012/12/17 19:32:07

1 led的性能与特点　　1.1 耗能低（目前 10 w）、外形尺寸小 led作为固体发光器件，单颗功率低，目前应用最为广泛的均小于0.5w，功率型（单颗大于0.5w）的也都在0

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304034.html2012/12/17 19:32:11

图2k2系列的内部结构图1是k2系列白光led的结温tj与相对出光率的关系曲线。在tj=25℃时，相对出光率为1；tj=70℃时相对出光率降为0.9；tj=115℃时，则降到

http://blog.alighting.cn/lux1923/archive/2010/4/22/41107.html2010/4/22 9:32:00