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2009年大陆LED路灯起飞

2009年大陆LED路灯市场起飞,台湾LED厂具有技术优势,两岸LED业者藉由合作可望雨露均霑。

  https://www.alighting.cn/news/20081222/94474.htm2008/12/22 0:00:00

垂直结构LED技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵LED层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构LED芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00

垂直结构LED技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵LED层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构LED芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

垂直结构LED技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵LED层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构LED芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

垂直结构LED技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵LED层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构LED芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

垂直结构LED技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵LED层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构LED芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

垂直结构LED技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵LED层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构LED芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

垂直结构LED技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵LED层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构LED芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50

LED应用图示分析视频

一般认为LED的优点为:   1.长寿命   2.响应快   3.环保,固态光源   4.低电压,安全   5.具有潜在的高光效   6.体积小(准点光源)   7

  https://www.alighting.cn/resource/2009313/V776.htm2009/3/13 10:05:50

LED的寿命可以预测吗?

一切事物都有发生、发展和消亡的过程,LED也不例外,是有一定寿命的。早期的LED只是手电筒、台灯这类的礼品,用的时间不长,寿命问题不突出。但是现在LED已经开始广泛地用于室外和室

  https://www.alighting.cn/resource/20091102/129000.htm2009/11/2 0:00:00

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