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led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

半导体照明发光二极管 (led )芯片制造技术及相关物理问题

以化合物半导体材料为发光元件的半导体固态照明正引发人类照明史上的又一次伟大革命. 目前 ,局限半导体照明广泛应用的主要技术瓶颈有 :出光效率 (或外量子效率 ) ,单管最大可发

  https://www.alighting.cn/news/20091221/V22271.htm2009/12/21 17:17:05

[照明设计]大功率led智能化照明控制系统设计

随着led技术的不断发展,推动了白光led的问世,照明产业开始了绿色照明时代。由于led能耗少、热辐射低、发光效率高,是一种节能、环保、经济、安全的新型照明器件,因此,加快技术研

  https://www.alighting.cn/news/2010325/V23215.htm2010/3/25 9:00:03

李刚:研究开发量产型外延炉非常重要

外延炉及相配套外延技术是产业链的最高段,技术门槛最高,投入风险最大,成功回报效率最高,是决定后续发光效率提升的主战场。新型外延炉是未来突破的关键,是决定后续成本下降的主要环节,性

  https://www.alighting.cn/news/20100518/85871.htm2010/5/18 0:00:00

郑有炓:半导体照明将改变光电子与微电子产业产值悬殊局面

尽管半导体照明产业有巨大的发展空间,但未来仍将是机遇与挑战并存。目前led光效还有待进一步提高,特别是存在高驱动电流下led“量子效率下降”(efficiency droo

  https://www.alighting.cn/news/20100528/85921.htm2010/5/28 0:00:00

上游led元件技术发展走向

led元件发展方面,厂商主要目标之一为发光效率的提升。从业界已量产的led元件来看,高阶产品平均发光效率为150 lm/w,然日厂丰田合成于2012年初已开始量产并销售17

  https://www.alighting.cn/news/20120307/89546.htm2012/3/7 10:36:22

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