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质的半导体sic晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段，siclone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客
https://www.alighting.cn/news/20130709/112135.htm2013/7/9 12:02:46
且提高其效率。(所有图片来源：伊利诺大学)使用产业内标准的半导体长晶技术，研究人员在硅基板上制造氮化镓(gan)晶体，这种晶体能够产生高功率的绿光，应用于固态照
https://www.alighting.cn/news/20160803/142500.htm2016/8/3 9:46:58
近日，国星光电受第三代半导体联盟标委会（casas）邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（sic mosfet）热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体
https://www.alighting.cn/news/20210622/171619.htm2021/6/22 13:53:56
着人们对半导体发光材料研究的不断深入，led制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展，其发光效率提高了近1000倍，色
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9227.html2008/10/30 18:01:00
年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，led制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展，其发光效率提高了近100
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/9/19/98272.html2010/9/19 21:42:00
着电池边缘的表面漏电流；沿着位错微观裂缝、晶粒间界和晶体缺陷等形成的细小桥路而产生的漏电流。rs称为串联电阻，系由扩散顶区的表面电阻、电池的体电阻和上下电极与太阳电池之间的欧姆电阻
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
d。rsh称为旁路电阻．主要由下列几种因素引起：如表面沾污而产生的沿着电池边缘的表面漏电流；沿着位错微观裂缝、晶粒间界和晶体缺陷等形成的细小桥路而产生的漏电流。rs称为串联电阻，系
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230330.html2011/7/20 0:11:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258649.html2011/12/19 11:10:56
http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258864.html2011/12/20 15:57:41
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261424.html2012/1/8 21:28:11
