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硅基gan衬底面临一些技术挑战。gan和硅之间的巨大晶格失配导致了外延层的缺陷密度太高。而且两者之间的巨大热膨胀系数会导致它在从生长温度冷却至室温时产生大的拉伸应力，这会引起薄
https://www.alighting.cn/news/20140509/87721.htm2014/5/9 10:19:47
一般来说，led外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
https://www.alighting.cn/news/20141203/108303.htm2014/12/3 10:05:18
2016年全国两会正在持续进行中，来自各地的代表委员共话改革发展，共商国家大事，凝聚成决胜全面小康的磅礴力量。led作为国家重点扶持的新型产业，自然也成为两会议论的热点。今年的两会
https://www.alighting.cn/news/20160316/138030.htm2016/3/16 10:07:56
1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。
https://www.alighting.cn/news/2010628/V24194.htm2010/6/28 10:21:22
该委员会由来自led行业的多家公司组成，涵盖了hb-led器件生产、蓝宝石衬底生产、mocvd制程，及关键设备、原材料供应商。
https://www.alighting.cn/news/20101125/109997.htm2010/11/25 0:00:00
从目前实验的结果来看，晶片对光衰的影响分为两大类：第一是晶片的材质不同导致衰减不同，目前常用的蓝光晶片衬底材质为碳化硅和蓝宝石，碳化硅一般结构设计为单电极，其导热效果比较好，蓝宝
https://www.alighting.cn/2014/10/13 14:02:58
npss-纳米图形化蓝宝石衬底，为山东元旭光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20190313/160796.htm2019/3/13 10:10:10
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
在晶圆熔融键合技术上的最新进展已显示了它在提升键合对准精度上的能力过去的30年中，尺寸缩小和摩尔定律己成为硅平面工艺领域推动成本降低的主要动力。在这期间，主要的技术进步都
https://www.alighting.cn/resource/20141104/124133.htm2014/11/4 10:35:50
展望2009年，牛津仪器针对6英吋衬底设备首次推出hvpe设备。oipt的等离子设备能用来刻蚀蓝宝石衬底，并在gan沉积之前帮助衬底产生图案化特徵。一旦沉积完成，设备也能对蓝宝
https://www.alighting.cn/news/20081229/105808.htm2008/12/29 0:00:00
