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化学共沉淀法制备的红色荧光粉及其发光性能

用化学共沉淀法一次煅烧工艺合成了(y1-x-y,gdy)2o3∶xeu3+(x=0.06~0.10,y=0,0.20~0.25)系列红色荧光粉。用xrd、sem和荧光分光光度计,

  https://www.alighting.cn/resource/20130527/125562.htm2013/5/27 11:37:11

激光剥离gan/al_2o_3材料温度分布的解析分析

分析了脉冲激光作用下gan的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下gan/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,

  https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56

大功率led的封装及其散热基板研究

阻约为10 k/W;当微弧氧化膜热导率由2 W.m-1.k-1升高到5 W.m-1.k-1时,热阻将降至6 k/

  https://www.alighting.cn/resource/20130524/125568.htm2013/5/24 15:46:06

【特约】诺意光电张轶伟:决定led电源品质6大核心

、学习探讨的交流盛会,其中上海诺意光电有限公司总工程师张轶伟就《决定led电源品质的6大核心点》作演讲报告,他提出决定电源品质主要有6大核心点包括有:1、驱动控制芯片;2、变压器;3

  https://www.alighting.cn/resource/2013/5/22/161242_91.htm2013/5/22 16:12:42

oled显示屏接口电路的设计

行接口与显示模块连接。当系统需要访问该接口控制电路时,只需将mpu的数据口与系统数据线相连即可。该系统驱动程序包括初始化、清ram和显示3

  https://www.alighting.cn/resource/20130522/125579.htm2013/5/22 13:22:27

高性能背照式gan/algan p-i-n紫外探测器的制备与性能

r和bcl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3 cm

  https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13

金属-n型氧化锌纳米薄膜接触特性的研究

zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必

  https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56

led驱动器输出纹波和噪声的测量方法

文章浅析了led驱动器的输出纹波和噪声,给出常见的3种测量方法,通过比较分析确定准确的测量方法。

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125600.htm2013/5/15 14:25:54

生长温度对si衬底zno薄膜结构的影响

通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

异,掺入的稀土元素铒呈三价,电致发光谱为er3+的发光谱线,硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼

  https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06

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