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氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
民大会堂举办颁奖典礼。据分析，备受瞩目的技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效gan基蓝色发光二极管”项目(下称“硅衬底项目
https://www.alighting.cn/news/20151222/135509.htm2015/12/22 9:52:17
mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
大规模mocvd反应设备、低成本led光刻和照明细分市场等也成为此次论坛的主要内容，特别值得关注的是，对于衬底材料(硅衬底)的研发，此次论坛上有六位演讲者在其发言中重点提及，而
https://www.alighting.cn/news/20120327/99508.htm2012/3/27 16:13:30
台湾led磊晶大厂隆达电子(lextar)表示，并于日前产出并成功点亮台湾第一片6寸led发光二极体芯片工艺圆片，展现了隆达电子led芯片工艺技术的发展成绩。
https://www.alighting.cn/pingce/20110104/123118.htm2011/1/4 9:58:35
由于蓝宝石晶棒已出现产能过剩的警报，再加上中国大陆蓝宝石晶棒供应商仍持续加码扩产，导致2寸蓝宝石基板价格暴跌至10美元以下，至于4寸蓝宝石基板的降价情况则不明显，原因是要从60公
https://www.alighting.cn/news/20111107/114619.htm2011/11/7 11:44:08
硅衬底uv led四芯系列玻璃封装产品，为晶能光电（江西）有限公司2018神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20180328/155955.htm2018/3/28 11:26:52
利用gcr170型脉冲激光器nd：yag 的三次谐波(355nm)，以蓝宝石al2o3(0001)为衬底，在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了zno 薄膜.通过原子力显微镜
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用x射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
