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上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术，可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜，在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑，衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高led光提
https://www.alighting.cn/news/20110601/115404.htm2011/6/1 10:13:21
近日，华为新品发布会在法国巴黎大皇宫美术馆举行，发布会现场，一块由国星reestar提供核心器件，雷迪奥打造的400㎡超大led显示屏画质细腻、色彩绚丽，充分展现了华为新品的科
https://www.alighting.cn/news/20180418/156487.htm2018/4/18 17:54:54
近日，江苏省产业技术研究院宣布，在国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项项目“高效大面积oled照明器件制备的关键技术及生产示范”的实施过程中，成功打造了国内首条自主设
https://www.alighting.cn/news/20191018/164577.htm2019/10/18 9:15:11
近日，rusnano、onexim group以及uomp公司签署了一份关于俄罗斯照明计划的文件，为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建了一个高技术的工业生产体系。
https://www.alighting.cn/news/20081217/96286.htm2008/12/17 0:00:00
世界领先的电子及能源产业的半导体材料生产和制造商soitec与照明行业的材料、设备和系统供应商重庆四联光电科技有限公司就共同使用hvpe制造氮化镓(GaN)达成了协议。
https://www.alighting.cn/news/20120711/113188.htm2012/7/11 10:12:51
据来自于日本经济新闻方面的消息，三菱化学与蓝光led之父中村修二已成功运用液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。
https://www.alighting.cn/news/20101209/116107.htm2010/12/9 9:11:07
东京大学生产技术研究所教授藤冈洋的研究组与神奈川科学技术研究院（kast）宣布，共同开发出了在柔性底板上形成由氮化镓（GaN）构成的led技术。由于制造方法采用的是易于支持大面
https://www.alighting.cn/resource/20080229/128588.htm2008/2/29 0:00:00
led 器件的封装已经有四十年的历史,近几年,随着led产业的迅速发展,led的应用领域不断扩大,对led器件的封装形式及性能提出了更高、更特别的要求。
https://www.alighting.cn/news/20091130/V21926.htm2009/11/30 10:31:19
新型led显示器件有功耗低、亮度高、寿命长、尺寸小等优点，本文从led显示器件的发展简史开始，探讨了表面贴装led、汽车应用中的led和照明用led的发展趋势，对于从事显示器件开
https://www.alighting.cn/resource/20071122/V12902.htm2007/11/22 9:47:33
https://www.alighting.cn/news/20071122/V12902.htm2007/11/22 9:47:33
