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日试制出全球最高输出功率的深紫外线led元件

量子效率为3.0%。德山将在2013年内展开用户评测,力争2015年度之前实现业务运作。目标是在医疗、水净化及食品领域取代杀菌用汞

  https://www.alighting.cn/pingce/20130117/121983.htm2013/1/17 18:22:19

教你认清oled、uled、qled、gled

现在电视机的各种概念可是一点都不比之前少,什么4色4k、量子点,各种新兴概念层出不穷。而最让人头疼的,莫过于电视的各种“x”led的概念了。不光长相上差不多,而且商家的描述也

  https://www.alighting.cn/pingce/20170220/148275.htm2017/2/20 9:56:58

led芯片技术的发展

本文主要阐述了algainp led和gan led芯片技术的研究发展情况及其led外部量子效率低的现状,介绍了改善电注入效率和提高芯片出光效率的几种方法,如芯片塑形、表面粗化

  https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22

纹波电流对led光效的影响

并设计实验测量纹波电流对led光效的实际影响。根据led的droop效应,载流子溢出使led外量子效率下降,是纹波电流使led光效下降的物理机

  https://www.alighting.cn/2014/1/8 14:11:10

pss衬底(patterned sapphire substrate)

pss最近受到热捧,pps的衬底可以有效减少gan外延材料的位元错密度,从而减小有源区的非辐射复合,提升内量子效率,减小反向漏电流,提高led的寿命;另一方面有源区发出的光,

  https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08

mocvd制备in_xga_(1-x)n/gan mqws的温度依赖性

利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39

从钻石的散热及发光看超级led的设计

镓 gan)会因基材(如刚玉 al2o3)晶格的不整合产生极多的缺陷(如 109/cm2),这些缺陷限制了内部量子效应(internal quantum efficiency)的发

  https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28

生长温度对InGaN/gan多量子阱led光学特性的影响

性的影响。结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,led的光致发光波长从490 nm移到380 nm,室温下pl谱发光峰的半高全宽从133 mev降到73 mev,表明了量子阱结晶

  https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08

提高yag:ce荧光粉稳定性的方法探讨

高光效、长寿命、低价格是白光led进入普通照明必过的叁关,提高芯片的内外量子效率、高技巧封装结构的设计及工艺、提高yag:ce3+的光转换效率是当前直面的叁题,认真研究粉体的相结

  https://www.alighting.cn/resource/20110211/128059.htm2011/2/11 10:26:04

突飞猛进的八十年代led

到不断改进。通过对晶体生长的各种实验测定了最佳的器件参数。用这个生产线生产的led器件的外部量子效率到目前为止是世界上最高的,双异质结(dh)结构的效率值达21

  https://www.alighting.cn/news/20091228/V22368.htm2009/12/28 15:27:58

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