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烯时间 2s阻烯时间 10s经纬烯烧撕破强力 32N经向张拉强度 750N以上纬向张拉强度 750N以上在1100℃火焰温度下 30s全光透光性 65.9%室内照明的测试评价gb
http://blog.alighting.cn/renxin/archive/2009/4/23/3073.html2009/4/23 8:07:00
2mm续烯时间 2s阻烯时间 10s经纬烯烧撕破强力 32N经向张拉强度 750N以上纬向张拉强度 750N以上在1100℃火焰温度下 30s全光透光性 65.9%室内照明的测试评
http://blog.alighting.cn/renxin/archive/2009/7/24/4717.html2009/7/24 9:55:00
1.0N) 垂直灼烫试品 30s ，视试品和铺垫物是否起燃或持燃时间来测定电工电子设备成品的着火危险性；测定固体绝缘材料及其它固体可燃材料的起燃性、起燃温度 (gwit) 、可燃
http://blog.alighting.cn/fangjungoing/archive/2010/5/29/46599.html2010/5/29 14:33:00
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http://blog.alighting.cn/jkutyt/archive/2010/6/15/50189.html2010/6/15 12:56:00
度的数字转换为像素点发光的时间(d/t转换),即实现了亮度的d/a转换。 设屏幕数据刷新的周期为,控制任意像素点亮度的数据为N位二进制数d=bi2i(其中bi=0或1),toN
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143430.html2011/3/17 21:53:00
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261339.html2012/1/8 20:19:40
间(d/t转换),即实现了亮度的d/a转换。 设led光栅屏屏幕数据刷新的周期为,控制任意像素点亮度的数据为N位二进制数d=bi2i(其中bi=0或1),toN为相应于d的发光时
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2012/7/20/282789.html2012/7/20 10:45:39
全保护 2容量40ka 3速反应（2-25N秒 ) 4残压，真正3级虑压保护 5维护 6对线保护 7压低,漏电流小 8止弱电子设备受过电压浪涌的破坏;
http://blog.alighting.cn/bjdjspd2/archive/2009/5/13/3381.html2009/5/13 13:44:00
本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究，这种管型基元led结构是将N个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上，通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/resource/2011/1/6/101442_72.htm2011/1/6 10:14:42
到空穴的浓度和深度分布情况。结果表明，激光诱导掺杂zN后，未掺杂显N型的gaN材料转变为p型，接近样品表面处空穴浓度最大达3×1018cm-3。利用二次离子质谱方法对zN含量进行测
https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
