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解析cree公司新型封装技术

g)技术直接在碳化硅(SiC)基板上刻出凹槽(trenches),再利用旋转涂布法将半导体纳米晶体或荧光粉等荧光材料填入凹槽中,在凹槽间形成一个凸面桥,这个方法可以让白光led变得更

  https://www.alighting.cn/resource/20081229/128651.htm2008/12/29 0:00:00

硅衬底led芯片主要制造工艺

目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基led专利技术,美国cree公司垄断了SiC衬底上gan基led专利技术。因此,研发其他衬底上的gan基led生产技术成为国际上的一个热

  https://www.alighting.cn/resource/20100701/129051.htm2010/7/1 0:00:00

rohm(罗姆)亮相第十七届高交会电子展

2015年11月16日-21日,rohm亮相在深圳举办的“第十七届高交会电子展(elexcon 2015)”。在本次展会上展出了rohm所擅长的模拟电源、业界领先的SiC(碳化

  https://www.alighting.cn/news/20151124/134436.htm2015/11/24 18:52:50

三安集团林秀成:多款用于5g产品芯片已开始供货

据了解,2018年,三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区,斥资333亿元投资ⅲ-ⅴ族化合物半导体材料、led外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SiC材料

  https://www.alighting.cn/news/20190401/161387.htm2019/4/1 10:16:26

台湾半导体照明产业发展现状解析

近年来在半导体前段晶圆制程设备部分,晶圆制造业者,如台积电、联电等基于制造成本与服务效率的考量,对于设备耗材零组件的本土化已逐渐凝聚共识,起而推动并订立自身本土化目标,台湾le

  https://www.alighting.cn/news/2014528/n576262613.htm2014/5/28 14:38:47

cfl全新照明方案:smc2153s镇流器ic替代ir2520

台湾原厂供应8寸台系mos管晶圆,良率大损耗小。裸片尺寸大是市面上的2~3倍,可大大的降低成本,更可节约能源以及水资源。从机器和工艺上讲我们全部采用8寸工艺生产制造,取代市场上

  http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/11/21/299431.html2012/11/21 14:20:18

plessey推新一代硅基氮化镓led光效可达64lm/w

锯成晶圆裸片形式的蓝光plb01005

  https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29

确保高亮led精度与性价比的方法

精确而高性价比的测试对于确保led器件的可靠性和质量至关重要。led测试在生产的不同阶段具有不同类型的测试序列,例如设计研发阶段的测试、生产过程中的晶圆级测试、以及封装后的最终测

  https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/11256_84.htm2012/4/11 11:25:06

东芝正式宣布8吋矽基板led将于10月量产

晶圆厂,预定于2012年10月开始量

  https://www.alighting.cn/pingce/20120726/122450.htm2012/7/26 11:17:51

veeco推出三款新系列氮化镓mocvd设备

这些新设备均支持2英寸、4英寸、6英寸以及8英寸晶圆生长。现有的max bright和k465i设备都能很容易地现场升级到高性能版。所有veeco的mocvd设备都拥有维护需求

  https://www.alighting.cn/pingce/20120628/122456.htm2012/6/28 11:04:57

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