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国内政府激励led照明产业发展

效的大功率白光led芯片的研发及产业化工作也正在加快推进。 福建led照明发展目标.在上游衬底、外延、芯片方面,支持led外延、芯片龙头企业追赶国际先进水平、扩大生产规模。加快推

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/9/9/236113.html2011/9/9 11:30:23

三种led衬底材料的比较

3)?;硅 (si)碳化硅(sic)[/url]蓝宝石衬底通常,gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点:首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00

垂直结构led技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的led芯片的两个电极分别在led外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00

垂直结构led技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的led芯片的两个电极分别在led外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

垂直结构led技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的led芯片的两个电极分别在led外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

垂直结构led技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的led芯片的两个电极分别在led外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

垂直结构led技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的led芯片的两个电极分别在led外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

垂直结构led技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的led芯片的两个电极分别在led外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

垂直结构led技术面面观

片的同一侧,电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的led芯片的两个电极分别在led外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极,使得电流几乎全部垂

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50

led主要参数及电学、光学、热学特性

示为p=kt(tj–ta)。1.4响应时间响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。现有几种显示lcd(液晶显示)约10-3~10-5s,crt、pdp、led都达到10-6

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/31/9242.html2008/10/31 17:45:00

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