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国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262735.html2012/1/29 0:41:22
用，都比较完善。可以很方便买到生产设备和原料，接单也容易。”重复建设成隐忧谨防蹈多晶硅覆辙据广东省省情调查研究中心相关报告显示，广东led企业主要位于产业链的中、下游，核心芯片特别是大
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262739.html2012/1/29 0:42:00
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262745.html2012/1/29 0:42:26
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262750.html2012/1/29 0:42:52
集光线的几何条件。 4.照度计 照度计通常由带导线的光电池和用来读出照度的电表组成。它可以直接用于照明现场进行测量。简单的照度计可采用硒光电池，精度较高的照度计采用硅光电池。
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263082.html2012/1/29 23:33:18
资的目的就是希望抓紧新一轮照明革命的机会，投资了一批“具有颠覆性技术”的公司。其中，一家名为晶能光电的公司，采用硅材料作为衬底生产芯片，走的是一条全新技术路线，在降低材料成本的同
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263593.html2012/2/4 14:47:45
穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石衬底芯片的esd值就
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/2/29/265106.html2012/2/29 15:14:13
于可控硅调光。图15可用于高功率ledpar灯的反激式隔离型恒流电源 这个电路图是一个给24瓦par灯用的演示板的电路图。其主要技术指标如下： 这个市电恒流源因为功率大，而且可以适应
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267453.html2012/3/10 10:32:20
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267554.html2012/3/12 19:15:22
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267565.html2012/3/12 19:23:39
