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0持续的时间为1，那么位b1持续时间则为2，位b2至b7的持续时间分别为4、8、16、32、64和128。 定频降压dc/dc变换器(见下图)与新
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
业（nichia）在gan的led中，将P型电极（P tyPe）部分做成网纹状（mesh Pattern），以此来增加P极的透明度，减少光阻碍同时提升光透量。 至于增加折反
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
片sPce061a实现，数据处理速度快、可靠性高。 sPce061a和cyclone eP1c6简介 sPce061a是凌阳科技的一款16位微控制器，内嵌32kb闪存和2kb
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134119.html2011/2/20 22:55:00
究，在材料质量、器件指标等方面取得了重要进展。同时对gan基led的可靠性也进行了比较深入的研究。 gan基led的退化机理主要包括封装材料退化、金属的电迁移、P型欧姆接触退化、深能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
v； 电功率：Pm ≥ 5 w（加散热片）； 光效≥17 lm/w； 热阻：rθ≤16℃/w（包括硅基板和铜热沉）； 3 电路结构设计 3.1 电路原理设计 电路原
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
为克服以上缺陷，本文提出了在P1口的部分口线上实现2x8阵列的中断方式键盘输入和脱机硬件动态显示的新方法。 2 原 理 2．1 硬件设计 硬件原理电路如图1所示。在803
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134101.html2011/2/20 22:21:00
v641620是hynix公司生产的4 banks×1m×16位的sdram芯片,单片hy57v641620存储容量为4组×16 m位（8 mb），支持自动刷新，16位数据宽度。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134099.html2011/2/20 22:20:00
关 除了负载和晶体管交换位置，这个电路与前面的完全相同。图2e中显示的开关就位于“高端”。我们还把fet从n通道变成P通道。n通道fet要求vgs5v以完全导通：在本拓扑中，n通
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由P型和n型半导体构成的Pn结管芯，当注入Pn结的少数载流子与多数载流子复
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
一个i/o单元直接连接到一个i/o引脚。每个i/o都可编程为输入、输出和双向单元,并可根据所需要编程为锁存或寄存功能。每16个i/o cell分为一组。8个glb,16个i/
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