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led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的P电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的P电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的P电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led光源的研制和市场动态

趣和重视。  要 具 体 分析led科研进展,我们可先回顾一下半导体工业的发展历史。人们一般将si,g e称为第一代电子材料,而将gaas,in P,g aP,in as,a la

  http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50

led芯片的技术发展状况

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  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的P电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的P电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

艾斯威在led显示屏行业打造世界品牌

如1. 在内蒙古承建的两块室内高清晰led显示屏顺利竣工2.香港德客乐国际家居广场P16户外全彩led显示屏项目3.中山市坦洲镇锦绣商业中心132.63平方米 P10全彩屏建成这

  http://blog.alighting.cn/aswei/archive/2012/12/22/305167.html2012/12/22 10:45:42

国家led应用产品质检中心在厦门落成

d 发光效率的提高和散热技术的逐步完善, led 影视舞台屏幕得到越来越多的应用。日前,...www.aswei.cn/led-news3...html 2010-10-6-百度快

  http://blog.alighting.cn/aswei/archive/2013/1/9/306880.html2013/1/9 11:53:27

led流星雨灯

:1000*30mm 锥形:800*26mmled数量 :圆形双面:192P 锥形:128P 圆形单面:96P额定电压:锥形 ac12v 圆形 ac24v额定功率:8w使用寿

  http://blog.alighting.cn/leddfyy888/archive/2010/9/9/95883.html2010/9/9 23:03:00

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