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高压led引领led照明

有高电压、低电流的特点,可有效减少电源成本,提升电源效率,适用于高pf值电源驱动方案。  而pct材料在高温承受能力、反射率、uv照射上都要优于现有的ppa,可用于大型的户外le

  http://blog.alighting.cn/221864/archive/2014/9/18/358001.html2014/9/18 11:05:38

led显示屏封装可靠性测试与评估

中,虽然材料(散热基板、荧光粉、灌封胶)选择很重要,但封装结构(如热学界面、光学界面)对led光效和可靠性影响也很大,大功率白光led封装必须采用新材料,新工艺,新思路。对于led灯

  http://blog.alighting.cn/Autumn/archive/2010/11/18/115036.html2010/11/18 16:56:00

以dlc接口及钻铜基材制造大功率的垂直led

若在gan和金属的接口加入热胀低而散热快的似钻膜(dlc coating),即可大幅度降低接口应力。 图1:各种材料的热传导率及热膨胀率比较。图示钻石和铜的复合材料或「似钻膜

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00

关于发光二极管和半导体照明的探讨

时的led以红色为主,发光效率很低,光通量很小,只能作指示灯和仪表显示器使用。随着管芯材料、结构和封装技术的不断进步,led颜色品种增多,光效大幅度提高,目前的红色led光效已可

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229906.html2011/7/17 23:08:00

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

发展我国led封装业的具体建议与方案

d市场将陆续显现。在技术方面,现时遇到最大挑战是提升及保持亮度,若再增强其散热能力,市场之发展深具潜力。 随着led生产技术发展一日千里,令其发光亮度提高和寿命延长,加上生产成本大

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/10/1/242858.html2011/10/1 0:02:35

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

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