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摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35
图1)。3材料选用3．1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233022.html2011/8/19 23:23:00
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262691.html2012/1/29 0:38:09
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271793.html2012/4/10 23:36:29
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274727.html2012/5/16 21:28:31
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258549.html2011/12/19 10:59:12
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261518.html2012/1/8 21:47:33
1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为ma级，硅管为na级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120870.html2010/12/14 21:47:00
